金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体元件的制造方法”的专利，公开号CN 118824870 A，申请日期为2023年7月。

　　专利摘要显示，本揭露提供了一种制造半导体元件的方法。所述方法包含：提供半导体结构，其中半导体结构包含交替地设置并包裹氧化物层的数个部位的数个第一氮化物部位以及数个第二氮化物部位、设置于第一氮化物部位中的一者与第二氮化物部位中的一者之间的介电质层、被第一氮化物部位中的一者或第二氮化物部位中的一者围绕的顶部氮化物、填充材料以及设置于填充材料上的盖层；形成数个沟槽以暴露氧化物层的被第一氮化物部位以及第二氮化物部位包裹的部位；通过去除氧化物层的部位以形成数个气隙；以及共形地形成封装层于沟槽的数个内侧壁上以封装气隙。 所述方法降低了半导体元件的寄生电容。

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